نانو وایر و نانو ریبون دو فناوری جدید اینتل برای ترانزیستورها

توسط در اخبار فناوری 30 ژوئن 2020

کمپانی اینتل پس از برنامه ریزی طولانی مدت خود، در سال 2020 از دو فناوری جدید نانو وایر و نانو ریبون در ترانزیستورها رونمایی خواهد کرد. فناوری Nanowire و Nanoribbon که در مجموعه مدار تغذیه و ترانزیستورها مورد استفاده قرار می گیرد و جایگزین فناوری قدیمی FinFET می شود. اینتل از زمان معرفی فناوری ساخت یا لیتوگرافی 22 نانومتری از فناوری FinFET رونمایی کرده بود و در مدت حدود ده سال نیز این تکنولوژی در حال استفاده است.

کنترل سوییچینگ بهتر، مهم ترین ویژگی فناوری نانو وایر و نانو ریبون به شمار می رود که از سوییچ کردن تصادفی یا اشتباه جلوگیری می کند. اینتل پیش بینی کرده که ورود به فاز سیلیکون جدید و به کار گیری فناوری نانو وایر و نانو ریبون طی پنج سال انجام خواهد شد. مراحل مختلف طراحی و اختراع این فناوری به مدت طولانی در مرکز تحقیق و توسعه شرکت اینتل انجام شده و در این مدت نیز بهینه سازی های متعددی روی آن صورت پذیرفته است.

نانو وایر و نانو ریبون دو فناوری جدید اینتل برای ترانزیستورها

اینتل در کنفرانس بین المللی VLSI و توسط مایک مایباری به عنوان CTO این کمپانی، گزارشی در مورد چگونگی برنامه ریزی آنها برای نشان دادن تقاضای محاسبات بیشتر با بهره گیری از فناوری جدید ارائه داد. اینتل به همراه سایر تولید کنندگان نیمه هادی مانند سامسونگ به ارائه فناوری جدید به نام GAAFET (مخفف Gate-All-Around FET) با بهره گیری از تکنولوژی نانو وایر و نانو ریبون پرداخته که در میان محصولات این کمپانی، جایگزین فناوری بسیار قدیمی FinFET شده است.

با توجه به اینکه برنامه تیک تاک از قاعده مورفی در محصولات اینتل به درستی رعایت نمی شود و این روند در سال های اخیر دچار اختلال شده، به درستی نمی توان پیش بینی کرد که اولین محصول رسمی مجهز به فناوری های نانو وایر و نانو ریبون با بهره گیری از کدام نسخه از فناوری ساخت و از چه نسلی معرفی و روانه بازار خواهند شد.

دیدگاه خود را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

    سبد خرید